一碲化锗
化合物
一碲化锗是一种无机化合物，化学式为GeTe。它是一种半金属导体，具有铁电性质。[2]
| 一碲化锗 | |
|---|---|
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| |
| 别名 | 碲化锗(II) |
| 识别 | |
| CAS号 | 12025-39-7 
|
| PubChem | 16213264 |
| ChemSpider | 74888 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYAU |
| 性质 | |
| 化学式 | GeTe |
| 摩尔质量 | 200.21 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 固体 |
| 密度 | 6.14 g/cm3 |
| 熔点 | 725 °C（998 K） |
| 能隙 | 0.6 eV [1] eV |
| 折光度n D |
5 |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 菱方, hR6 |
| 空间群 | R3m, No. 160 |
| 晶格常数 | a = 4.1719 Å, c = 10.710 Å |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 一氧化锗 一硫化锗 一硒化锗 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
它主要存在三种晶型，室温的α型（菱方）和γ型（正交），以及高温的β型（立方，岩盐型），其中α相是纯GeTe在铁电居里温度670 K下最常见的相。[3][4]
掺杂的一碲化锗是低温超导体。[5]
参考文献 编辑
- ^ R. Tsu; et al. Optical and Electrical Properties and Band Structure of GeTe and SnTe. Phys. Rev. 1968, 172 (3): 779–788. Bibcode:1968PhRv..172..779T. doi:10.1103/PhysRev.172.779.
- ^ A. I. Lebedev; I. A. Sluchinskaya; V. N. Demin; I. H. Munro. Influence of Se, Pb and Mn impurities on the ferroelectric phase transition in GeTe studied by EXAFS. Phase Transitions. 1997, 60 (2): 67 [2021-02-15]. doi:10.1080/01411599708220051. （原始内容存档于2016-03-03）.
- ^ E. I. Givargizov; A.M. Mel'nikova. Growth of Crystals. Birkhäuser. 2002: 12. ISBN 0-306-18121-5.
- ^ Pawley, G.; Cochran, W.; Cowley, R.; Dolling, G. Diatomic Ferroelectrics. Physical Review Letters. 1966, 17 (14): 753. Bibcode:1966PhRvL..17..753P. doi:10.1103/PhysRevLett.17.753.
- ^ Hein, R.; Gibson, J.; Mazelsky, R.; Miller, R.; Hulm, J. Superconductivity in Germanium Telluride. Physical Review Letters. 1964, 12 (12): 320. Bibcode:1964PhRvL..12..320H. doi:10.1103/PhysRevLett.12.320.