磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。
| 「外延 (晶体)」的各地常用名稱 |
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| 中国大陸 | 外延 |
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| 臺灣 | 磊晶[1] |
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外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓時，外延尤其重要。
外延成長技術的種類
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- 化學氣相沉積
- 分子束外延技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。
- 液相外延或稱液態外延（英語：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技術
- 固相外延（英語：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技術
參考來源
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- 文獻
- Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
外部連結
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