倫敦穿透深度

超導體中,倫敦穿透深度(通常記作)是指磁場穿進超導體中,並減弱為超導體表面處強度之時的深度。[1] 倫敦穿透深度一般為50至500奈米。

倫敦穿透深度是由倫敦方程安培定律推導得出的。[1] 如果考慮一個超導介質佔據x0,而弱外磁場B0作用在z方向。那麼,超導體內的磁感應強度為:

[1]

其中, 可以視為磁感應強度減弱原本時的深度,具體表達為:

,[1]

其中, 為帶電物體的質量,為電荷, 為數量密度。


參考编辑

  1. ^ 1.0 1.1 1.2 1.3 Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics. John Wiley & Sons. 2004: 273–278. ISBN 978-0-471-41526-8. 

另見编辑