基體閘換向閘流體

基體閘換向閘流體(integrated gate-commutated thyristor)簡稱IGCT,是功率半導體英语power semiconductor device电子学元件,在工業設備中切換电流用。其原理和可關斷晶閘管(GTO)有關。

基體閘換向閘流體
Integrated gate-commutated thyristor
电路符号
Igct circuit symbol5.svg
针型陽極、閘極及陰極

IGCT是由三菱集团ABB聯合開發[1]。IGCT類似可關斷晶閘管(GTO),是完全可控的功率開關,其導通及關斷都是由控制信號(閘極)控制。閘級驅動的電路一般會整合在閘流體元件中[2]

應用编辑

IGCT的應用主要在是在變頻器,也可以驅動牽引電動機。 IGCT可以串聯或並聯,用在更高功率的場合。

相關條目编辑

參考資料编辑

  1. ^ Hingorani, Narain G; Laszlo Gyugi. Understanding FACTS. India: IEEE Press. 2011: 42. ISBN 978-81-265-3040-3. 
  2. ^ Eric Carroll, "IGCTs: Moving on the Right Track", Power Electronics Technology, Aug 1, 2002 [1], retrieved on January 8, 2010.

外部連結编辑