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磊晶(英語:Epitaxy),是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長(Epitaxial Growth),或指以外延技術成長出的結晶,有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。

「外延 (晶体)」的各地常用別名
中国大陸 外延
港臺 磊晶[1]

外延技術可用以製造電晶體CMOS積體電路等各種元件,但在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓英语Epitaxial wafer時,外延尤其重要。

外延成長技術的種類编辑

  • 化學氣相沉積
  • 分子束外延技術:在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術,相關可見真空蒸鍍技術。
  • 液相外延或稱液態外延(英語:Liquid Phase Epitaxy, LPE)的磊晶技術
  • 固相外延(英語:Solid Phase Epitaxy, SPE)的磊晶技術

參考來源编辑

文獻
  • Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1. 
引用
  1. ^ Epitaxy. 國家教育研究院. [2016-01-24] (中文). (繁體中文)

外部連結编辑