打开主菜单

硅酸铪硅酸化学式HfSiO4

硅酸铪
系统名
Hafnium(4+) silicate
识别
CAS号 13870-13-8  ☒N
PubChem 17979268
ChemSpider 16470992
SMILES
性质
化学式 HfO4Si
摩尔质量 270.57 g·mol−1
精确质量 271.903133781 g mol−1
外观 四方晶体[1]
密度 7.0 g/cm3
熔点 2758 °C(3031 K)([1]
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

在现代半导体元件中,可以使用由原子层沉积化学气相沉积MOCVD生长的硅酸铪和硅酸锆薄膜,作为高κ电介质替换二氧化钛[2]二氧化铪中的增大了能隙,同时降低相对电容率。此外,它还提高了非晶膜的结晶化温度,并进一步增强了材料在高温下与硅的热稳定性[3]。有时会向硅酸铪中加入以提高热稳定性和设备的电性能。

参考编辑

  1. ^ 1.0 1.1 Haynes, William M. (编). CRC Handbook of Chemistry and Physics 92nd. Boca Raton, FL: CRC Press. 2011: 4-66. ISBN 1439855110. 
  2. ^ Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films. Microelectronics Reliability. April 2007, 47 (4-5): 645–648. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065. 
  3. ^ J.H. Choi; 等. Development of hafnium based high-k materials—A review. Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001.