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移动DDR

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移动DDR（英文：Mobile DDR）（也称MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一種，專門用於移動式電子產品，例如智能電話等。

Mobile DDR: Samsung K4X2G323PD-8GD8

DDR内存从DDR、DDR2、DDR3发展到DDR4，频率不断升高、电压不断降低，但反應時間不断变大。如今的DDR4内存最重要的使命是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚可提供2Gbps（256MB/s）的带宽，拥有4266MT/s的频率，内存容量最大可达128GB，运行电压正常可降至1.1V~1.2V。

相对于DDR内存，MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星电子与美光科技（Micron Technology）等公司已掌握该项技术。

MDDR的运行电压（工作电压）低于DDR的标准电压，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取速度和外部传输速度加倍。如今的LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。

LPDDR2 编辑

一个新的JEDEC标准JESD209-2F （页面存档备份，存于互联网档案馆）定义了low-power DDR介面标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容，但类似：

  • LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
  • LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或是
  • LPDDR2-N: 非易失性（NAND）内存。

低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分陣列更新選項。

LPDDR2 命令编码[1]
CK CA0
(RAS)		 CA1
(CAS)		 CA2
(WE)		 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 操作
↑ H H H — NOP
↓ —
↑ H H L H H — 預先充電所有的 banks
↓ —
↑ H H L H L — BA2 BA1 BA0 預先充電一個 bank
↓ —
↑ H H L H A30 A31 A32 BA2 BA1 BA0 Preactive
(LPDDR2-N only)
↓ A20 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A27 A28 A29
↑ H H L L — 突發中止
↓ —
↑ H L H reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 讀
(AP=auto-precharge)
↓ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11
↑ H L L reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 寫
(AP=auto-precharge)
↓ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11
↑ L H R8 R9 R10 R11 R12 BA2 BA1 BA0 激活
(R0–14=Row address)
↓ R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R13 R14
↑ L H A15 A16 A17 A18 A19 BA2 BA1 BA0 激活
(LPDDR2-N only)
↓ A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14
↑ L L H H — 更新所有的 banks
(LPDDR2-Sx only)
↓ —
↑ L L H L — 更新一個 bank
(Round-robin addressing)
↓ —
↑ L L L H MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register read
(MA0–7=Address)
↓ MA6 MA7 —
↑ L L L L MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register write
(OP0–7=Data)
↓ MA6 MA7 OP0 OP1 OP2 OP3 OP4 OP5 OP6 OP7

列位址（Column address）C0 bit從未轉讓，並假定為零。 突發傳輸（Burst transfers）從而始終在偶數地址開始。

LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）開啟CKE信號，操作像SDRAM。

  • 如果晶片被激活（active），它凍結（freeze）到位。
  • 如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。
  • 如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。
  • 如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。 （完全復位序列時，需要離開。）

LPDDR3 编辑

2012年5月，JEDEC固態技術協會公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。

LPDDR4 编辑

2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來移動裝置的新標準，如LPDDR4。

LPDDR4X 编辑

三星電子提出最新的LPDDR4標準，与LPDDR4相同，只是透過将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。

LPDDR5 编辑

2017年，JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格，但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。

JEDEC於2019年2月19日發布了JESD209-5，低功耗雙倍數據速率5（LPDDR5）標準。

LPDDR5X 编辑

2021年7月28日，JEDEC發布了JESD209-5B，低功耗雙倍數據速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括對LPDDR5標準的更新，專注於提高性能、功耗和靈活性，以及新的LPDDR5X標準，這是對LPDDR5的可選擴展。

2021年11月9日，三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM。基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案，不僅具有1.3倍以上的數據傳輸速率、功耗還降低了將近20%[2]。

2021年11月22日， 美光科技宣佈，聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM，並將用於其為智能手機打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組。[3]

注釋 编辑

  1. ^ JEDEC Standard: Low Power Double Data Rate 2 (LPDDR2) (PDF), JEDEC Solid State Technology Association, February 2010 [2010-12-30], （原始内容存档 (PDF)于2012-03-04） 
  2. ^ Frumusanu, Andrei. Samsung Announces First LPDDR5X at 8.5Gbps. Anandtech.com. 2021-11-09 [2021-11-09]. （原始内容存档于2022-11-29）. 
  3. ^ Micron and MediaTek First to Validate LPDDR5X | Micron Technology. [2022-11-29]. （原始内容存档于2022-11-15）. 

外部連結 编辑

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