电子式可擦除可编程只读存储器

电子式可擦除可编程只读存储器 （英语：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EEPROM或E²PROM），是一种只读存储器（ROM），可以通过电子方式多次复写。相比EPROM， EEPROM 不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除晶片上的资讯，以便写入新的数据， EEPROM 属于SPD（串行存在检测）技术的一种延伸。

EEPROM分为四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，晶片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。而在编程写入时，晶片会通过Vpp（一般+25V, 有时较新者会使用 +12V 或 +5V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般为50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线照射，便可以擦除指定地址中的内容。为保证写入正确，每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压，且写入时间也已有缩短。在民用的DDR SDRAM及其主流后续产品中，一般 EEPROM 主要用于保存内存的开发者资讯、生产时间、内存资讯、通讯协议、既定内存频率、供电电压、供电电流、物理消息以及内存XMP等消息，且电脑会在开机自检（Power-On Self-Test；POST）时会读取这些消息以保持电脑的正常开机。

闪存是EEPROM的后续延伸。

历史编辑

1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技术的基础上，改用薄的闸极氧化层，以便无需紫外光，晶片就可以用电气方式抹除自身的位元，因而开发出型号为2816的16kbit EEPROM。Perlegos与一些同事后来离开Intel，创立 Seeq Technology 公司后，在晶片上内建电荷泵（charge pump）以提供刻录时自身所需的高电压，因而推出只需5V电压的EEPROM，利于实施在线刻录（In-System Programming，ISP 或称 In-Circuit Programming，ICP）。^[1]

EEPROM 组件的类型编辑

有的 EEPROM 是包含于其他组件中，为该组件的一部分。例如：MCU 中可能包含用来存储程序或资料的 EEPROM、数码电位器（Digital Potentiometer）内也需要 EEPROM 来存储目前的设置值。

单独的 EEPROM 组件，其通信口通常可分为串行（serial）与并行（parallel）两类。除电源线外，串行通信口只使用1~4只接线来传递信号，所需接脚较并行式少，通常用来存储资料。执行用的程序则通常放在并行式的 EEPROM 中，以利存取。

序列式EEPROM 编辑

Microwire 通信口（4线）：型号为以 93 开头的系列。例：93C46
I2C^TM 通信口（2线）：型号为以 24 开头的系列。例：24LC02
SPI 通信口（3线）：型号为以 25 开头的系列。例：25LC08
UNI/O^TM通信口（1线）：由 Microchip 公司出品，型号为以 11 开头的系列。
1-Wire^® 通信口（1线）：由 Dallas / Maxim 公司出品。

并行式EEPROM 编辑

型号通常为以 28 开头的系列。

至于型号通常为以 29 或 49 开头的系列，写入须以较大的区块为单位，此种存储器一般会使用 Flash （闪存/闪存）来称呼。至于能以较小单位(例如以字节)擦除或写入的则才以 EEPROM 称呼，以作区别。

世界主要制造商编辑

参考文献编辑

^ Rostky, George. Remembering the PROM knights of Intel. EE Times. July 3, 2002 [2010-04-21]. （原始内容存档于2007-09-29）.

[1] Rostky, George. Remembering the PROM knights of Intel. EE Times. July 3, 2002 [2010-04-21]. （原始内容存档于2007-09-29）.

[1]

电子式可擦除可编程只读存储器

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EEPROM 组件的类型 编辑