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鉅景科技

鉅景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立於2002年。是一間專精於提供SiP和MCP微型化解決方案之IC整合設計公司。2005年鉅景針對消費性電子輕薄短小的訴求，研發MCP系列產品，並於當年度上市銷售；2006年至2008年間，鉅景成功进入數位相機的MCP市場；2008年度MCP產品的銷售更達到12Mpcs。在全球的數位相機MCP市場上，已擁有10%的市場佔有率，是台灣致力於研發MCP和SiP的領導廠商。

沃福仕股份有限公司
WeForce.CO., LTD.
成立2002
代表人物賴淑楓
總部 臺灣台北縣中和市
产业IC設計
產品MCP/SiP
員工人數55人
實收資本額新台幣5.07億元（2011年11月）
网站http://www.weforce.com.tw

2019年，鉅景科技股份有限公司更名為沃福仕股份有限公司，ChipSiP繼續保留為產品品牌，將繼續利用多年來累積深厚微型化系統的設計與整合經驗，為客戶提供多元的客製化需求元件，開拓多樣化的終端產品應用領域，滿足客戶需求為優先，不斷追求創新，堅持最佳品質。我們帶領精實敏捷的專業團隊，將持續與全球客戶、廠商維持穩定信任的合作夥伴關係，在設計整合的服務中努力精進，共同面對機會與挑戰，展現優質的產業競爭力，優化全球性市場的占有率。

產品列表 编辑

鉅景多年發展SiP和MCP產品，擁有超過10年以上之RF、邏輯等元件設計與整合經驗，並建立龐大之晶圓資料庫與封裝資源整合能力，有效運用SiP技術為客戶提供標準與客製化產品服務。

MCP系列產品 编辑

在2008年5月鉅景發表全球第一個的9X9mm封裝的快閃記憶體(Nand flash)加上動態存取記憶體(DDR/DDRII)的Memory MCP。為滿足客戶需要更多設計空間和彈性的要求，鉅景設計不同容量與規格的Memory MCP供客戶選擇，亦根據客戶需求設計客製化Memory MCP。

● 使用MCP的優點:

1. 節省整體物料成本

2. 簡化設計流程

DSC MCP Product 编辑

CT47
NAND Flash+DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT47568SR566 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47128SR566 512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47248NS566 1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR126 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47248NS126 1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT47488NS126 2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR566A 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT48
NAND Flash+DDRII SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT48568SR126 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48248NS126 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 Request
CT48488NS126 2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48568SR246 256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48128SR246 512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Request
CT48248NS246 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48488NS246 2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Ready
CT48568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48248NS126A 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Request
CT48248NS246A 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Ready
CT83
DDRII SDRAM Stack
Part Number Description DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT83962C 4Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 2009/7
CT83482D 2Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 2009/9
CT83242D 1Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 Request

Mobile Phone MCP Product 编辑

M71
NOR Flash+pSDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M71NL03240BGW0P(K)0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 Ready
M71PL03280BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL032A0BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064A0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064B0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8

Smart Phone MCP Product 编辑

M5D
NAND Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5D568566B 256Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D128566B 512Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 166MHz TFBGA 11x13x1.2 Ready
M5D1G6566A 1Gb NAND+256Mb M-SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3
M5E
NAND Flash+M-DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5E568562B 256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E128566(2)B 512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8566(2)B 1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8126B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E1G81G2B 1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E2G81G2B 2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E4G81G2B 4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G6126A 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3

Modules MCP Product 编辑

CT46
NOR Flash+DDR-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT46160BB566 16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT46320BB566 32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72
NOR Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT72326MT646 32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72646MT646 64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Ready

SiP客製化 编辑

System In Package(SiP)的優點 编辑

1.體積微型化

2.高靈活性的系統設計

3.減少較長的設計週期及功能驗證時間

4.易於整合不同的晶元製程

5.可有效抑制電磁干擾

6.某些不易取得的智財，SiP可用其封裝好的積體電路實現其PoP或PiP的結構

SiP開發階段 编辑

1. 工程樣品階段(三至六個月)

2. 量產階段(二至三個月)

應用領域 编辑

鉅景專精發展SiP 技術，並運用此技術，鉅景研發一系列不同組合的多晶片封裝記憶體(Memory MCP)產品，適用於消費性電子產品如數位相機，數位攝影機，智慧型手機，多媒體手機以及衛星導航系統。並因應消費性電子商品體積越來越輕薄且需整合更多功能的趨勢下。鉅景持續發展先進memory MCP解決方案並創造SiP產業價值鍊。

公司大事紀 编辑

  • 2019/07：更名為沃福仕股份有限公司
  • 2009/04：通過ISO14001:2004認證
  • 2008/12：鉅景科技於公開市場興櫃，股票代碼3637。
  • 2008/12：榮獲勤業眾信亞洲區Fast 500營收成長第十名。
  • 2008/08：通過ISO9001:2000認證。
  • 2008/07：獲得勤業眾信台灣高科技Fast 50 營收成長評比第二名。
  • 2008/04：發表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP產品。
  • 2008/01：宣佈以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP進軍高階手機應用市場。
  • 2007/12：成功進軍韓國市場，並獲得韓系數位相機領導大廠設計認可，並量產數位相機系列產品。
  • 2007/09：發表M71(NOR+pSRAM)MCP產品主攻多媒體手機應用。
  • 2007/07：開發CT72(M-NOR+SDRAM)MCP應用於通訊模組客戶端。
  • 2007/03：CT48 MCP(10x13mm)產品線，成功設計於美系數位相機品牌廠商。
  • 2007/01：研發CT46(NOR+DDR)MCP，並設計使用於數位相機鏡頭模組。
  • 2006/06：全球獨家發表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列產品。
  • 2006/05：日系品牌大廠使用CT47系列產品，並成功量產其數位相機。
  • 2005/09：開發DSC+PDA(CT162)平台。
  • 2005/07：研發首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP產品推廣於數位相機市場。
  • 2004/12：提供IC設計客戶端SiP服務並研發ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
  • 2004/06：協助系統業者開發Car Navigator相關設計應用。
  • 2003/12：發表Bus-Multimedia系統平台。
  • 2003/03：研發Car-Alarm相關系統設計。
  • 2003/03：開發 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆疊)予IPC廠商。
  • 2003/04：研發CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推數位相機客戶。
  • 2002/02：發表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
  • 2002/08：鉅景成立。

參考資料 编辑

^ http://www.weforce.com.tw （页面存档备份，存于互联网档案馆）

^ 黃繼寬，〈SiP理念日趨普及 鉅景代客戶操刀差異設計〉，《新通訊元件雜誌》2009年6月20日

^ 〈引領台灣SiP產業進入下一個獲利時代〉，《天下雜誌-成長400 7月號 》2008年7月

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