维基百科

钜景科技

钜景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立于2002年。是一间专精于提供SiP和MCP微型化解决方案之IC整合设计公司。2005年钜景针对消费性电子轻薄短小的诉求，研发MCP系列产品，并于当年度上市销售；2006年至2008年间，钜景成功进入数码相机的MCP市场；2008年度MCP产品的销售更达到12Mpcs。在全球的数码相机MCP市场上，已拥有10%的市场占有率，是台湾致力于研发MCP和SiP的领导厂商。

沃福仕股份有限公司
WeForce.CO., LTD.
成立2002
代表人物赖淑枫
总部 台湾台北县中和市
产业IC设计
产品MCP/SiP
员工人数55人
实收资本额新台币5.07亿元（2011年11月）
网站http://www.weforce.com.tw

2019年，钜景科技股份有限公司更名为沃福仕股份有限公司，ChipSiP继续保留为产品品牌，将继续利用多年来累积深厚微型化系统的设计与整合经验，为客户提供多元的客制化需求元件，开拓多样化的终端产品应用领域，满足客户需求为优先，不断追求创新，坚持最佳品质。我们带领精实敏捷的专业团队，将持续与全球客户、厂商维持稳定信任的合作伙伴关系，在设计整合的服务中努力精进，共同面对机会与挑战，展现优质的产业竞争力，优化全球性市场的占有率。

产品列表 编辑

钜景多年发展SiP和MCP产品，拥有超过10年以上之RF、逻辑等元件设计与整合经验，并建立庞大之晶圆数据库与封装资源整合能力，有效运用SiP技术为客户提供标准与客制化产品服务。

MCP系列产品 编辑

在2008年5月钜景发表全球第一个的9X9mm封装的快闪存储器(Nand flash)加上动态存取内存(DDR/DDRII)的Memory MCP。为满足客户需要更多设计空间和弹性的要求，钜景设计不同容量与规格的Memory MCP供客户选择，亦根据客户需求设计客制化Memory MCP。

● 使用MCP的优点:

1. 节省整体物料成本

2. 简化设计流程

DSC MCP Product 编辑

CT47
NAND Flash+DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT47568SR566 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47128SR566 512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47248NS566 1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR126 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47248NS126 1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT47488NS126 2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR566A 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT48
NAND Flash+DDRII SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT48568SR126 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48248NS126 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 Request
CT48488NS126 2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48568SR246 256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48128SR246 512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Request
CT48248NS246 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48488NS246 2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Ready
CT48568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48248NS126A 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Request
CT48248NS246A 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Ready
CT83
DDRII SDRAM Stack
Part Number Description DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT83962C 4Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 2009/7
CT83482D 2Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 2009/9
CT83242D 1Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 Request

Mobile Phone MCP Product 编辑

M71
NOR Flash+pSDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M71NL03240BGW0P(K)0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 Ready
M71PL03280BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL032A0BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064A0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064B0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8

Smart Phone MCP Product 编辑

M5D
NAND Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5D568566B 256Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D128566B 512Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 166MHz TFBGA 11x13x1.2 Ready
M5D1G6566A 1Gb NAND+256Mb M-SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3
M5E
NAND Flash+M-DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5E568562B 256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E128566(2)B 512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8566(2)B 1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8126B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E1G81G2B 1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E2G81G2B 2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E4G81G2B 4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G6126A 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3

Modules MCP Product 编辑

CT46
NOR Flash+DDR-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT46160BB566 16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT46320BB566 32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72
NOR Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT72326MT646 32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72646MT646 64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Ready

SiP客制化 编辑

System In Package(SiP)的优点 编辑

1.体积微型化

2.高灵活性的系统设计

3.减少较长的设计周期及功能验证时间

4.易于整合不同的芯片制程

5.可有效抑制电磁干扰

6.某些不易取得的智财，SiP可用其封装好的集成电路实现其PoP或PiP的结构

SiP开发阶段 编辑

1. 工程样品阶段(三至六个月)

2. 量产阶段(二至三个月)

应用领域 编辑

钜景专精发展SiP 技术，并运用此技术，钜景研发一系列不同组合的多芯片封装内存(Memory MCP)产品，适用于消费性电子产品如数码相机，数位摄影机，智能手机，多媒体手机以及卫星导航系统。并因应消费性电子商品体积越来越轻薄且需整合更多功能的趋势下。钜景持续发展先进memory MCP解决方案并创造SiP产业价值炼。

公司大事纪 编辑

  • 2019/07：更名为沃福仕股份有限公司
  • 2009/04：通过ISO14001:2004认证
  • 2008/12：钜景科技于公开市场兴柜，股票代码3637。
  • 2008/12：荣获勤业众信亚洲区Fast 500营收成长第十名。
  • 2008/08：通过ISO9001:2000认证。
  • 2008/07：获得勤业众信台湾高科技Fast 50 营收成长评比第二名。
  • 2008/04：发表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP产品。
  • 2008/01：宣布以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP进军高阶手机应用市场。
  • 2007/12：成功进军韩国市场，并获得韩系数码相机领导大厂设计认可，并量产数码相机系列产品。
  • 2007/09：发表M71(NOR+pSRAM)MCP产品主攻多媒体手机应用。
  • 2007/07：开发CT72(M-NOR+SDRAM)MCP应用于通讯模组客户端。
  • 2007/03：CT48 MCP(10x13mm)产品线，成功设计于美系数码相机品牌厂商。
  • 2007/01：研发CT46(NOR+DDR)MCP，并设计使用于数码相机镜头模组。
  • 2006/06：全球独家发表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列产品。
  • 2006/05：日系品牌大厂使用CT47系列产品，并成功量产其数码相机。
  • 2005/09：开发DSC+PDA(CT162)平台。
  • 2005/07：研发首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP产品推广于数码相机市场。
  • 2004/12：提供IC设计客户端SiP服务并研发ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
  • 2004/06：协助系统业者开发Car Navigator相关设计应用。
  • 2003/12：发表Bus-Multimedia系统平台。
  • 2003/03：研发Car-Alarm相关系统设计。
  • 2003/03：开发 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆叠)予IPC厂商。
  • 2003/04：研发CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推数码相机客户。
  • 2002/02：发表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
  • 2002/08：钜景成立。

参考资料 编辑

^ http://www.weforce.com.tw （页面存档备份，存于互联网档案馆）

^ 黄继宽，〈SiP理念日趋普及 钜景代客户操刀差异设计〉，《新通讯元件杂志》2009年6月20日

^ 〈引领台湾SiP产业进入下一个获利时代〉，《天下杂志-成长400 7月号 》2008年7月

取自“https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=鉅景科技&oldid=79274332”