背向散射电子绕射技术

背向散射电子绕射技术 （Electron Back Scatter Diffraction, EBSD）是一种利用绕射电子束来鉴别样品结晶学方位的技术。挂载在扫描式电子显微镜（Scanning Electron Microscopy, SEM）中，倾斜角度约70度，加速后的电子束射入样品中，产生反弹的背向散射电子，经过表面晶体结构绕射，携带著样品表面的晶粒方位的资讯，进入探测器中，借此判断其每一颗晶粒的方向性。在知道每一颗晶粒的方位后，因此可用在判断晶界（Grain boundary）、相鉴别（Phase identification）、晶粒方向（Orientation）、织构（Texture）及应变（Strain）的分析方法。

单晶硅的背向散射电子衍射图案。