逻辑电平
在数位电路，逻辑电平是数字信号的状态之一。尽管存在其他标准，但逻辑电平通常由信号和地之间的电压差表示。代表每个电平状态的电压范围取决于所使用的逻辑系列，例如电晶体－电晶体逻辑（TTL）和互补式金属氧化物半导体（CMOS）。不同逻辑系列的电路可以使用逻辑电平转换器连接。
两态逻辑 编辑
在二进制逻辑中，二进制数1 和 0通常以逻辑高和逻辑低电平表示。使用这种逻辑的数码电路可以借助布尔代数来进行设计或分析。
有效电平 编辑
数位电路可以选择使用高或低电平来表示任一逻辑状态。这两个选项是高电平有效和低电平有效。在同一数位电路里，高电平有效和低电平有效状态可以在不同功能上使用：例如，只读存储器集成电路可能具有低电平有效的片选信号，但数据和地址位通常为高电平有效。通过反转启用电平的选择来简化逻辑设计亦属惯例（参见德摩根定律）。
| 逻辑电平 | 高电平有效信号 | 低电平有效信号 |
|---|---|---|
| 逻辑高 | 1 | 0 |
| 逻辑低 | 0 | 1 |
在进行逻辑设计时，人们会在低电平有效信号的名称加上上划线，以将其与高电平有效信号区分开来。例如，名称Q ，读作“Q bar”或“Q not”，表示低电平有效信号。常用的约定有：
- 上划线 ( Q )
- 前斜杠 (/Q)
- 小写的 n 前缀或后缀（nQ 或 Q_n）
- #后缀 (Q#)，或
- “_B”或“_L”后缀（Q_B 或 Q_L）。 [1]
数位电路中的许多控制信号都是低电平有效信号[2] （复位线、片选线等）。因为电晶体－电晶体逻辑（TTL）之类的逻辑系列更有能力把讯号拉到低电位，以至扇出和抗噪能力得以提升。如果逻辑门是带有上拉电阻的集电极开路，它还允许线接或逻辑。I²C总线和控制器局域网(CAN)，以及PCI 本地总线就应用了这个特性。
一些信号在两种电平下有不同含义。例如，标注为 R/ W的读/写线表示信号在高电平的情况下为读取，在低电平的情况下为写入。
逻辑电平电压 编辑
这两种逻辑电平通常由两种不同的电压表示，但在某些逻辑信号中也会使用两种不同的电流。每个逻辑系列都指定了各自的高阈值和低阈值。当电压或电流低于低阈值时，信号为“低”。当高于高阈值时，信号为“高”。中间值为未定义。
通常逻辑电平的电压会允许一些误差；例如，0 到 2 伏可能代表逻辑 0，而 3 到 5 伏可能代表逻辑 1。而 2 到 3 伏的电压是无效的，仅会在逻辑电平转换期间或故障时出现。然而，很少逻辑电路可以检测到这种情况，大多数设备会以未定义或特定方式将信号简单地区分为高或低。一些逻辑器件包含施密特触发器，使信号在阈值区域内更易被区分，以应对输入电压的微弱变化。
| 技术 | L 电压 | H电压 | 笔记 |
|---|---|---|---|
| CMOS [3] | 0 V 至 1/3 V DD | 2/3 V DD至 V DD | V DD =电源电压 |
| TTL [3] | 0 V 至 0.8 V | 2 V 至 V CC | V CC = 5 V ±5%（7400 商用系列）或 ±10%（5400 军用系列） |
几乎所有数字电路对所有内部信号都使用一致的逻辑电平。但是，逻辑电平在不同系统中或有不同。连接两个不同的逻辑系列时一般需使用某些特殊技巧，例如使用额外的上拉电阻或逻辑电平转换器。逻辑电平转换器能将一个使用某逻辑电平的数字电路连接到一个使用另一个逻辑电平的数字电路。通常会使用两个电平转换器以连接两个不同的数字电路，每个数字电路一个：一个电平转换器会将内部逻辑电平转换为标准接口线路电平；另一个电平转换器会将标准接口电平转换为内部电平。
例如， TTL 电平与CMOS不同。通常，TTL 的输出电压不会升高到足以被 CMOS 稳定地识别为逻辑 1 的程度，尤其是当它连接到高输入阻抗 CMOS 输入时。 74HCT 系列器件的出现解决了这个问题，该器件使用 CMOS 技术，但采用 TTL 输入逻辑电平。这些器件仅适用于 5 V电源。
| 电源电压 | 技术 | 逻辑系列（例子） | 参考 |
|---|---|---|---|
| 5V、10V、15V | 金属CMOS | 4000, 74C | [4] |
| 5V | TTL | 7400、74S 、74LS、74ALS、74F、74H | [5] |
| 5V | BiCMOS | 74ABT、74BCT | |
| 5V | CMOS (TTL I/O) | 74HCT 、74AHCT、74ACT | [6] |
| 3.3V、5V | CMOS | 74HC 、74AHC、74AC | [5] [6] |
| 5V | LVCMOS | 74LVC, 74AXP | [7] |
| 3.3V | LVCMOS | 74LVC、74AUP、74AXC、74AXP | [7] |
| 2.5V | LVCMOS | 74LVC、74AUP、74AUC、74AXC、74AXP | [7] |
| 1.8V | LVCMOS | 74LVC、74AUP、74AUC、74AXC、74AXP | [7] |
| 1.5V | LVCMOS | 74AUP、74AUC、74AXC、74AXP | [7] |
| 1.2V | LVCMOS | 74AUP、74AUC、74AXC、74AXP | [7] |
三态逻辑 编辑
在三态逻辑中，输出信号可处于以下三种可能状态之一：0、1 或 Z，Z表示高阻抗。这不是逻辑电平，而是一个意味着该装置没有控制所连接电路的状态。
四态逻辑 编辑
四态逻辑添加了第四个状态 X（“不关心”），这意味着信号的值不重要且未定义，或者可以随意选择输出信号来简化逻辑设计（参见卡诺图）。
九态逻辑 编辑
多层单元 编辑
在固态存储装置中，多层单元使用多个电压存储数据。在一个单元中存储 n 位元需要设备可靠地区分 2 n 个不同的电压电平。
线路编码 编辑
参考 编辑
- ^ Coding Style Guidelines (PDF). Xilinx. [2017-08-17]. （原始内容存档 (PDF)于2022-10-07）.
- ^ Balch, Mark. Complete Digital Design: A Comprehensive Guide To Digital Electronics And Computer System Architecture. McGraw-Hill Professional. 2003: 430. ISBN 978-0-07-140927-8.
- ^ 3.0 3.1 Logic signal voltage levels. All About Circuits. [2015-03-29]. （原始内容存档于2015-04-23）.
- ^ HEF4000B Family Specifications (PDF). Philips Semiconductors. January 1995. （原始内容 (PDF)存档于March 4, 2016）.
Parametric limits are guaranteed for VDD of 5V, 10V, and 15V.
- ^ 5.0 5.1 AppNote 319 - Comparison of MM74HC to 74LS, 74S and 74ALS Logic (PDF). Fairchild Semiconductor. June 1983. （原始内容存档 (PDF)于October 24, 2021）.
- ^ 6.0 6.1 AHC/AHCT Designer’s Guide (PDF). Texas Instruments. September 1998. （原始内容存档 (PDF)于April 13, 2018）.
Technical Comparison of AHC / HC / AC (CMOS I/O) and AHCT / HCT / ACT (TTL I/O) Logic Families
- ^ 7.0 7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 Little Logic Guide (PDF). Texas Instruments. 2018. （原始内容存档 (PDF)于April 3, 2021）.
Logic Voltage Graph (page4)