雪崩二極管
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雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定逆向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半導體材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生高溫熱點，因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度，因此產生更多的載子，也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的，相較於非雪崩的二極管，雪崩二極管的擊穿電壓不會隨電流而變化，大致呈一定值[1]。
| 雪崩二極管 | |
|---|---|
| 類型 | 被動 |
| 工作原理 | 突崩潰 |
齊納二極體除了齊納崩潰外，也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應，但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化，因此在崩潰條件下會有很小，但明顯的電壓差。而齊納二極體會維持在高過擊穿電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管，比齊納二極體的保護效果要好。雪崩二極管的電壓有小的正溫度系數，而齊納二極體則是負溫度系數[2]。
用途 編輯
參考電壓 編輯
不同電流下的擊穿電壓只會隨電流有微小的變化。因此雪崩二極管可用作參考電壓，參考電壓超過6-8伏特的參考電壓二極體，多半就是雪崩二極管。
保護 編輯
雪崩二極管常用在電路的過電壓保護。雪崩二極管以逆向偏壓的方式和電路連接，其陽極的電壓比陰極要高。此組態下，二極體不會導通，也不會影響電路。若電壓上昇，超過所設計的限制值，二極體會突崩潰，將有害的電壓導通到接地。若是這類的使用，雪崩二極管會限制最大電壓至某個事先設計的值，因此會稱為clamping二極體或瞬態電壓抑制二極體。此用途的雪崩二極管一般會標示其clamping電壓VBR及可以吸收的最大暫態能量（用焦耳）或是 。雪崩二極體的崩潰沒有破壞性，因為二極體不會過熱。
相關條目 編輯
參考資料 編輯
- ^ L. W. Turner, (ed.), Electronics Engineer's Reference Book, 4th Edition, Newnes, 1976 pages 8-9 to 8-10
- ^ Jacob Millman Microelectronics, McGraw-Hill, 1979 ISBN 0-07-042327-X, pp. 45-47