直接带隙和间接带隙

(重定向自直接带隙半导体

直接带隙(英语:Direct band gaps)是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应同一个k值的能带结构,具有这种结构的半导体称为直接跃迁型半导体(或称直接带隙半导体)。直接带隙结构中,电子由价带顶跃迁至导带底时保持k不变,并吸收光子

间接带隙(英语:Indirect band gaps)是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应不同k值的能带结构,具有这种结构的半导体称为间接跃迁型半导体(或称间接带隙半导体)。间接带隙结构中,电子由价带顶跃迁至导带底时动量发生改变,因此电子跃迁时除吸收光子外还要吸收或发射声子,这样才能满足动量守恒的要求。

材料特性编辑

非直接跃迁是一个二级过程,其发生的机率很小(约为直接跃迁的1/1000)。相较之下,直接跃迁型材料更适合用作新型发光材料。

材料举例编辑

直接带隙半导体材料:GaAs,GaN,InN,InP,GaSb,InAs,InSb等

间接带隙半导体材料:Ge,Si,AlP,GaP,BAs,AlAs,AlSb等

参考来源编辑

文献

  • 半导体材料 / 杨树人,王宗昌,王兢 -3版.-北京:科学出版社,2013.1 ISBN 978-7-03-036503-3