File:InGaN crystal SEM+CL.png

原始文件(1,298 × 928像素,文件大小:1.73 MB,MIME类型:image/png


摘要

描述
English: Indium-gallium nitride is a semiconductor alloy that emits light when irradiated by energetic particles. A small crystal cluster has accidentally grown during the w:MOVPE process. The lightness corresponds to its standard w:SEM image, whereas the colour overlayers were added according to the light emitted under the electron beam. Blue and green channels are roughly natural colours, while red encodes the ultraviolet emission. The image demonstrates that InGaN/GaN structures are highly anisotropic, and so are their cathodoluminescence properties.
Image taken in the Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, using Philips XL30 ESEM equipped with custom color-resolved cathodoluminescence photomultiplier setup. Author acknowledges the great help of R. Horešovksý.
Čeština: Nitrid india a gallia je polovodičová slitina, která jasně svítí při dopadu částic ionizujícího záření. Drobná krystalová drúza vznikla omylem během růstu metodou w:cz:MOVPE. Světlost odpovídá obvyklému elektronovému w:SEM obrazu, zatímco barevné vrstvy byly přeloženy na základě světla emitovaného pod elektronovým paprskem. Modrý a zelený kanál odpovídají zhruba přirozeným barvám, kdežto červený kanál odpovídá ultrafialovému záření. Obrázek ukazuje silnou anizotropii struktur na bázi InGaN, která se projevuje i na jejich katodoluminiscenčním chování.
日期
来源 自己的作品
作者 FDominec

许可协议

我,本作品著作权人,特此采用以下许可协议发表本作品:
w:zh:知识共享
署名
本文件采用知识共享署名 4.0 国际许可协议授权。
您可以自由地:
  • 共享 – 复制、发行并传播本作品
  • 修改 – 改编作品
惟须遵守下列条件:
  • 署名 – 您必须对作品进行署名,提供授权条款的链接,并说明是否对原始内容进行了更改。您可以用任何合理的方式来署名,但不得以任何方式表明许可人认可您或您的使用。


说明

添加一行文字以描述该文件所表现的内容

此文件中描述的项目

描繪內容

文件历史

点击某个日期/时间查看对应时刻的文件。

日期/时间缩⁠略⁠图大小用户备注
当前2017年11月27日 (一) 10:002017年11月27日 (一) 10:00版本的缩略图1,298 × 928(1.73 MB)FDominecUser created page with UploadWizard

以下页面使用本文件:

全域文件用途

元数据