主题:電子學/典範條目/5

PNP
NPN

雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,又称三極體)根据不同的掺杂方式,在同一晶片上,制造出三个掺杂区域,形成兩個 P-N 接面。

以 NPN 電晶體為例:在雙載子接面電晶體裡,雖然基極內的電洞較多,是多數載子。但是電流的傳遞,主要卻是透過基極裡的少數載子(即電子)來完成的,也因此 BJT 被稱做少數載子元件(minority-carrier devices)。

BJT 於1947年12月在貝爾電話實驗室,在威廉·肖克利的指揮下,由约翰·巴丁沃尔特·豪泽·布喇顿共同發明。