Talk:闪存
最新留言：1年前由Hzt0208042508415531 tw在话题请求与快閃記憶體轉換層合并内发布
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NVRAM 编辑
闪存(Flash)在英文版中被归类为非易失性随机存取存储器（NVRAM，中文似乎没有此页），而在中文版中被归类为电子抹除式可复写只读存储器（EEPROM），哪个正确？ -Kovl（留言） 2013年8月28日 (三) 03:14 (UTC)
- 見仁見智，同樣是非揮發性記憶體(NVM)，不過目前快閃記憶體(flash memory)的規模(如市場、種類、應用……等)應已足夠的多與大到可以自成一類, 歸類於EEPROM可能就是10年前的分類法。Ccwesley（留言） 2013年8月28日 (三) 06:21 (UTC)
- 闪存、EEPROM和EPROM均属于浮栅晶体管存储器，利用浮栅拘束电子来保存数据，不同点主要在于擦除方式。EPROM使用紫外线擦除，EEPROM改由电子方式擦除，而Flash则进一步改变了擦除的单位和范围。所以这几种分类应该都是正确的。--Aixiangsui（留言） 2013年11月12日 (二) 13:39 (UTC)
外部链接已修改 编辑
各位维基人：
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2013-7-1DreaMQ的合併請求 死灰（留言） 2022年5月27日 (五) 04:38 (UTC)
没有必要。该条目篇幅足够大。 Hzt0208042508415531 tw（留言） 2022年6月21日 (二) 04:25 (UTC)