局部态密度

局部态密度(Local density of states) (LDOS)是指在实空间分布的态密度。它可以通过扫描隧道显微镜得到,也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下,通过计算机仿真得到,比如密度泛函理论

MOSFET中通过计算机仿真实空间分布的态密度。当漏级偏压为0.6V时,随着栅极电压增高,沟道中密度增加,晶体管开通。

固体电子器件中的局部态密度(LDOS)编辑

LDOS可以用来分析器件具体工作原理。比如,右图是一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的LDOS随着晶体管开通和关闭的变化,该图通过计算机仿真得到。源极漏极中清晰可见导带禁带的分界线,以及束缚能级。在中间的沟道,随着栅极电压增加,势垒高度下降,密度增加,晶体管开通。

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