局部態密度

局部態密度(Local density of states) (LDOS)是指在實空間分佈的態密度。它可以通過掃描隧道顯微鏡得到，也可以在已知晶體結構和材料特性的情況下，通過計算機仿真得到，比如密度泛函理論。

MOSFET中通過計算機仿真實空間分佈的態密度。當漏級偏壓為0.6V時，隨着柵極電壓增高，溝道中密度增加，電晶體開通。

固體電子器件中的局部態密度(LDOS)

LDOS可以用來分析器件具體工作原理。比如，右圖是一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)中的LDOS隨着電晶體開通和關閉的變化，該圖通過計算機仿真得到。源極和漏極中清晰可見導帶和禁帶的分界線，以及束縛能階。在中間的溝道，隨着柵極電壓增加，勢壘高度下降，密度增加，電晶體開通。

外部連結

• Scientists shed light on glowing materials Photonic LDOS