相變化記憶體
（重定向自相变化存储器）
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相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非易失性存储器裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。
技術內容 编辑
限制 编辑
發展狀況 编辑
Intel在2003年開始進行研發。
目前研究的單位有 Intel，Samsung，Macronix，Advanced Memory Corp.
外部連結 编辑
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