相变化存储器
| 此条目需要补充更多来源。 (2018年11月5日) |
| 此条目需要扩展。 (2018年11月5日) |
相变化存储器（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位存储器，是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代闪存的技术之一。
技术内容 编辑
限制 编辑
发展状况 编辑
Intel在2003年开始进行研发。
目前研究的单位有 Intel，Samsung，Macronix，Advanced Memory Corp.
外部链接 编辑
 | 这是一篇与电脑存储装置相关的小作品。你可以通过编辑或修订扩充其内容。 |