硒化亚锡

化合物

硒化亚锡,又称一硒化锡,是一种无机化合物,化学式为SnSe。它是窄带隙(IV-VI)半导体,人们对其在低成本光伏器件和存储器开关器件的应用有着相当大的兴趣。[2]硒化亚锡是典型的层状金属硫属化物[3]第16族阴离子(Se2-)和正电性元素阳离子(Sn2+)以层状结构排列。

硒化亚锡
别名 硒化锡(II)、一硒化锡
识别
CAS号 1315-06-6  ☒N
性质
化学式 SnSe
摩尔质量 197.67 g/mol g·mol⁻¹
外观 铁灰色粉末
氣味 无味
密度 6.179 g/cm3
熔点 861 °C(1134 K)
溶解性 难溶
能隙 0.9 eV (indirect), 1.3 eV (direct)[1] eV
结构
晶体结构 Orthorhombic, oP8[1]
空间群 Pnma, No. 62[1]
危险性
警示术语 R:R23/25, R33, R50/53
安全术语 S:S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
欧盟分类 有毒(T)
对环境有害(N)
相关物质
其他阴离子 氧化亚锡
硫化亚锡
碲化亚锡
其他阳离子 一硒化碳
一硒化硅
一硒化锗
硒化铅
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

硒化亚锡有着低导热性和合适的导电性,为用于热电材料提供了可能性。[4]在2014年,西北大学的一个团队在热电材料效率方面创造了世界纪录。[5]

参考文献编辑

  1. ^ 1.0 1.1 1.2 Carter, Robin; Suyetin, Mikhail; Lister, Samantha; Dyson, M. Adam; Trewhitt, Harrison; Goel, Sanam; Liu, Zheng; Suenaga, Kazu; Giusca, Cristina; Kashtiban, Reza J.; Hutchison, John L.; Dore, John C.; Bell, Gavin R.; Bichoutskaia, Elena; Sloan, Jeremy (2014). "Band gap expansion, shear inversion phase change behaviour and low-voltage induced crystal oscillation in low-dimensional tin selenide crystals". Dalton Trans. 43 (20): 7391. doi:10.1039/C4DT00185K. PMID 24637546.
  2. ^ Tin(II) selenide 页面存档备份,存于互联网档案馆. sigmaaldrich.com
  3. ^ Zhang, Chunli; Yin, Huanhuan; Han, Min; Dai, Zhihui; Pang, Huan; Zheng, Yulin; Lan, Ya-Qian; Bao, Jianchun; Zhu, Jianmin. Two-Dimensional Tin Selenide Nanostructures for Flexible All-Solid-State Supercapacitors. ACS Nano. 2014, 8 (4): 3761–70. PMID 24601530. doi:10.1021/nn5004315. 
  4. ^ Northwestern University. "Surprising material could play huge role in saving energy: Tin selenide is best at converting waste heat to electricity." 页面存档备份,存于互联网档案馆 ScienceDaily, 17 April 2014.
  5. ^ Zhao, L. D.; Lo, S. H.; Zhang, Y; Sun, H; Tan, G; Uher, C; Wolverton, C; Dravid, V. P.; Kanatzidis, M. G. Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in Sn Se crystals. Nature. 2014, 508 (7496): 373–7. PMID 24740068. doi:10.1038/nature13184.