中子繞射技術

中子繞射技術或者『彈性的中子散射』是研究晶體學的方法(neutron diffraction; elastic neutron scattering),是用來確定某個材料的原子結構或磁性結構。這也是彈性散射的一種,離開中子具有入射中子相同或略低的能量。這個技術與X射線繞射類似,其主要差別在於它們不同繞射性質,這兩種技術可以互為補充。中子X射線提供互為補充的信息:X射線適合於表面分析,同步輻射產生的強X射線適合於淺的深度或薄的樣品,而穿透深度高的中子適合於塊狀樣品[1]

An imaging technique known as neutron diffraction, used along with molecular simulations, revealed that an ion channels voltage sensing domain (red, yellow and blue molecule at center) perturbs the two-layered cell membrane that surrounds it (yellow surfaces), causing the membrane to thin slightly.

註釋

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參閱

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