鐵電隨機存取記憶體
此條目没有列出任何参考或来源。 (2013年6月25日) |
鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM,縮寫為FeRAM或FRAM),類似於SDRAM,是一種随机存取存储器技術。但因為它使用了一層有铁电性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。麻省理工大學達德利·艾倫·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的碩士論文中,首次提出了這個概念。它有比闪存更低的耗电量,还有更高的写入速度,还有更长的读写寿命(大约10¹⁰到10¹⁵次循环)。它在+85℃时可以保存数据十年以上。但是它的缺点是比闪存存储密度低,存储容量限制,和更高的价格。与DRAM相比,铁电随机存取器的读操作是破坏性的,因为它需要遵循先写后读架构;若比較舊製程的產品,其密度及速度與相同製程的DRAM接近,但不知道是否能使用與DRAM一樣先進的製程製造。相較於MRAM,鐵電隨機存取記憶體可以在強大許多的磁場下正常使用。
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